镓离子FIB-SEM制样存在损伤上限，低能氩离子束清洗用于提升TEM样品质量
镓离子聚焦离子束-扫描电子显微镜(Ga⁺ FIB-SEM)已成为透射电子显微镜/扫描透射电子显微镜(TEM/STEM)定点薄片样品制备的重要方法，可在纳米尺度上对目标区域进行切割、提取和减薄。不过，资料指出，镓离子在带来高精度加工能力的同时，也会对样品表面造成非晶化、离子注入和局部化学改变，进而影响后续高分辨成像及能谱分析结果。资料介绍，Ga⁺ FIB-SEM通常可在30 keV条件下进行高分辨率定点加工，但高能镓离子会在样品侧壁形成损伤层。以硅材料...
2026-08-31
