韩国研究团队首次定量揭示砷化镓半导体辐射退化机制
韩国一支半导体研究团队近日首次在该国成功定量识别砷化镓(GaAs)化合物半导体在辐射环境下的性能退化机制。砷化镓被视为下一代航天、航空和国防系统的重要材料，相关成果有助于理解高能辐射对化合物半导体器件可靠性的影响。该研究由半导体工程系金敏洙教授和黄铉俊教授领导，并与韩国原子能研究院先进辐射研究中心及WaveTrack公司合作完成。研究团队指出，低地球轨道卫星或探测器搭载的通信、电力设备长期暴露在高能辐射环境中，可能出现...
2026-08-11
