韩国研究团队首次定量揭示砷化镓半导体辐射退化机制

韩国一支半导体研究团队近日首次在该国成功定量识别砷化镓(GaAs)化合物半导体在辐射环境下的性能退化机制。砷化镓被视为下一代航天、航空和国防系统的重要材料，相关成果有助于理解高能辐射对化合物半导体器件可靠性的影响。

该研究由半导体工程系金敏洙教授和黄铉俊教授领导，并与韩国原子能研究院先进辐射研究中心及WaveTrack公司合作完成。研究团队指出，低地球轨道卫星或探测器搭载的通信、电力设备长期暴露在高能辐射环境中，可能出现性能下降甚至故障。此次研究首次清晰阐明了化合物半导体内部无源元件在辐射条件下的变化情况。与传统硅材料相比，化合物半导体具有速度更快、耐压性更高等特点，因此其辐射可靠性对未来航天和国防电子系统具有重要意义。

除辐射环境下的半导体可靠性研究外，该学院在相关前沿领域也持续推进科研成果转化。例如，姜章元教授和宋正勋教授团队关于量子点薄膜的论文被选为国际学术期刊封面文章;这些研究成果正被纳入学生毕业设计项目和本科生科研项目中，用于培养面向下一代技术研发的人才。

目前，隶属于半导体工程系的化合物半导体中心正在提供韩国首个化合物半导体多工艺晶圆(MPW)服务。木浦国立大学承担MPW工艺最终可靠性验证工作，推动全罗南道和光州在化合物半导体产业布局中发挥更大作用。相关服务也为韩国初创企业、大学实验室和中小企业提供了直接设计、制造新型化合物半导体芯片的机会。

同时，该中心正与台湾盈透半导体、美国安靠科技和是德科技等企业合作，建设覆盖设计、制造和封装环节的全周期半导体开发体系。相关进展被认为将有助于韩国在存储半导体之外，进一步提升下一代国防和航天半导体领域的竞争力。