关键词：氘代氮化硅波导
新加坡科技设计大学和新加坡科技研究局微电子研究院的研究团队近日开发出一种低损耗氘代氮化硅波导，可在芯片上实现宽带光生成。该成果通过以氢的重同位素氘取代氢，在低温条件下制造氮化硅波导，显示出与CMOS兼容半导体工艺集成及晶圆级规模化生产的潜力。相关论文《在晶圆级低损耗氘代氮化硅波导中产生跨倍频程超连续谱》已发表在《光学快报》上。研究显示，这种芯片级波导能够将红外激光脉冲展宽至覆盖可见红光到深红外的光谱范围。传统...
2026-08-26
